Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363

Артикул: C553510 Part Number: PUMD16,115 Производитель: Nexperia
от 0.051800 ₽ В наличии: 1235 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.103400 ₽
50 шт. 0.081200 ₽
150 шт. 0.070100 ₽
500 шт. 0.061800 ₽
3000 шт. 0.055100 ₽
6000 шт. 0.051800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Тип NPN+PNP
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Рабочая температура -65℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.1V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 22kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 2.1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-363