VBsemi Elec SI7615ADN-T1-GE3-VB
Артикул: C55251743
Part Number: SI7615ADN-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.390400 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.411600 ₽ |
| 10 шт. | 0.403500 ₽ |
| 30 шт. | 0.396900 ₽ |
| 100 шт. | 0.390400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 52A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 54W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 95.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.595nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 813pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 910pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±16V |
Описание
20V 52A 2.2V 54W 4mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8-EP(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)