VBsemi Elec DMG1012T-7-VB
Артикул: C55251734
Part Number: DMG1012T-7-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.076300 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.080300 ₽ |
| 50 шт. | 0.078600 ₽ |
| 150 шт. | 0.077400 ₽ |
| 500 шт. | 0.076300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 850mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 270mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 105pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 23pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 850mA 1V 500mW 270mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SC-75-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)