VBsemi Elec VBGQA1202N
Артикул: C55247156
Part Number: VBGQA1202N
Производитель: VBsemi Elec
от 1.493600 ₽
В наличии: 26 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.575600 ₽ |
| 10 шт. | 1.541100 ₽ |
| 30 шт. | 1.516600 ₽ |
| 100 шт. | 1.493600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 225pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 470pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200V 50A 3V 136W 18mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)