Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-666
Артикул: C552423
Part Number: PEMH13,115
Производитель: Nexperia
от 0.178100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.281700 ₽ |
| 50 шт. | 0.237500 ₽ |
| 150 шт. | 0.218600 ₽ |
| 500 шт. | 0.194900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.184400 ₽ |
| 4000 шт. | 0.178100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-666