Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-666

Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-666

Артикул: C552409 Part Number: PEMD2,115 Производитель: Nexperia
от 0.096200 ₽ В наличии: 570 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.184500 ₽
50 шт. 0.146800 ₽
150 шт. 0.130700 ₽
500 шт. 0.110500 ₽
2500 шт. 0.101500 ₽
4000 шт. 0.096200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 2 PNP Pre-Biased Transistors
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Коэффициент усиления по постоянному току 60
Рабочая температура -55℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.7V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1.1V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 22kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-666