Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-666
Артикул: C552384
Part Number: PEMB10,115
Производитель: Nexperia
от 0.330700 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.602700 ₽ |
| 10 шт. | 0.491900 ₽ |
| 30 шт. | 0.436600 ₽ |
| 100 шт. | 0.381200 ₽ |
| 500 шт. | 0.347000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.330700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 180MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-666