Транзистор предварительное смещение 50V SOT-883-3
Артикул: C552164
Part Number: PDTC115EM,315
Производитель: Nexperia
от 0.017300 ₽
В наличии: 16660 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.027500 ₽ |
| 200 шт. | 0.023900 ₽ |
| 600 шт. | 0.021900 ₽ |
| 2000 шт. | 0.020700 ₽ |
| 10000 шт. | 0.017800 ₽ |
| 20000 шт. | 0.017300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 20mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 130kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 20mA 150mW поверхностный монтаж SOT-883-3