Nexperia PDTC114EMB,315

Nexperia PDTC114EMB,315

Артикул: C552150 Part Number: PDTC114EMB,315 Производитель: Nexperia
от 0.019400 ₽ В наличии: 10000 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.038600 ₽
100 шт. 0.030300 ₽
300 шт. 0.026200 ₽
1000 шт. 0.023100 ₽
5000 шт. 0.020600 ₽
10000 шт. 0.019400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Тип NPN
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 250mW
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Рабочая температура -65℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.8V@10mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 150mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 230MHz
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

50V 30 100mA 250mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-883-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS