Транзистор предварительное смещение PNP 50V DFN1010D-3
Артикул: C552124
Part Number: PDTB113ZQAZ
Производитель: Nexperia
от 0.118200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.183100 ₽ |
| 50 шт. | 0.155200 ₽ |
| 150 шт. | 0.141300 ₽ |
| 500 шт. | 0.130800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.122400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.118200 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 325mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@20mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 500mA 575mW поверхностный монтаж DFN1010D-3