Nexperia PDTA114EMB,315
Артикул: C552037
Part Number: PDTA114EMB,315
Производитель: Nexperia
от 0.032200 ₽
В наличии: 8760 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.045500 ₽ |
| 100 шт. | 0.039800 ₽ |
| 300 шт. | 0.036900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.034800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.033100 ₽ |
| 10000 шт. | 0.032200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 180MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 30 100mA 250mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP SOT-883-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS