Cmos CMD65R660S6ZD
Артикул: C55185723
Part Number: CMD65R660S6ZD
Производитель: Cmos
от 0.181700 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.354400 ₽ |
| 50 шт. | 0.280700 ₽ |
| 150 шт. | 0.249200 ₽ |
| 500 шт. | 0.209800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.192200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.181700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 12nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 450pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 23pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
650V 6A 4.5V 75W 600mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)