R+O FDN5618P
Артикул: C55166078
Part Number: FDN5618P
Производитель: R+O
от 0.059100 ₽
В наличии: 8820 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.112100 ₽ |
| 50 шт. | 0.089300 ₽ |
| 150 шт. | 0.077900 ₽ |
| 500 шт. | 0.069400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.062500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.059100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 210mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 660pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 37pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 47pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | 1.8V |
Описание
60V 2A 1.8V 900mW 210mΩ@10V 1 P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)