JSMSEMI BSC110N06NS3G-JSM
Артикул: C55112145
Part Number: BSC110N06NS3G-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.233000 ₽
В наличии: 338 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.444900 ₽ |
| 10 шт. | 0.355200 ₽ |
| 30 шт. | 0.316100 ₽ |
| 100 шт. | 0.268900 ₽ |
| 500 шт. | 0.246100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.233000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 78W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.14nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 60pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 850pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 50A 1.8V 78W 9mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS