JSMSEMI JSM053N10QG5H
Артикул: C55112134
Part Number: JSM053N10QG5H
Производитель: JSMSEMI
от 0.255700 ₽
В наличии: 4874 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.488400 ₽ |
| 10 шт. | 0.390100 ₽ |
| 30 шт. | 0.347500 ₽ |
| 100 шт. | 0.295000 ₽ |
| 500 шт. | 0.270500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.255700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 154W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 59nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.92nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 590pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 130A 4V 154W 4.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS