JSMSEMI FDP33N25-JSM
Артикул: C55112090
Part Number: FDP33N25-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.635500 ₽
В наличии: 194 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.088400 ₽ |
| 10 шт. | 0.912500 ₽ |
| 50 шт. | 0.816300 ₽ |
| 100 шт. | 0.707200 ₽ |
| 500 шт. | 0.658300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.635500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 250V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 77mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 124nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.238nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 190pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 557pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
250V 35A 4V 350W 77mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS