JSMSEMI FQB34N20LTM-JSM
Артикул: C55112076
Part Number: FQB34N20LTM-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.741400 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.269300 ₽ |
| 10 шт. | 1.064000 ₽ |
| 30 шт. | 0.951600 ₽ |
| 100 шт. | 0.824500 ₽ |
| 500 шт. | 0.767500 ₽ |
| 800 шт. | 0.741400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 160W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 154nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 101pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 355pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200V 35A 4V 160W 50mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS