JSMSEMI PHB27NQ10T-JSM
Артикул: C55112071
Part Number: PHB27NQ10T-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.317800 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.576800 ₽ |
| 10 шт. | 0.470900 ₽ |
| 30 шт. | 0.418800 ₽ |
| 100 шт. | 0.366600 ₽ |
| 500 шт. | 0.334100 ₽ |
| 800 шт. | 0.317800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 48W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 40mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.015nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 356pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 30A 3V 48W 40mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS