JSMSEMI JSM200N10BGH
Артикул: C55112070
Part Number: JSM200N10BGH
Производитель: JSMSEMI
от 0.169500 ₽
В наличии: 675 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.323500 ₽ |
| 50 шт. | 0.257800 ₽ |
| 150 шт. | 0.229700 ₽ |
| 800 шт. | 0.194500 ₽ |
| 2400 шт. | 0.178900 ₽ |
| 4800 шт. | 0.169500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 45A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 48W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.015nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 356pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 45A 3V 48W 15mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS