JSMSEMI IPB051NE8NGATMA1-JSM
Артикул: C55112031
Part Number: IPB051NE8NGATMA1-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.681800 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.168500 ₽ |
| 10 шт. | 0.978400 ₽ |
| 30 шт. | 0.875200 ₽ |
| 100 шт. | 0.758800 ₽ |
| 500 шт. | 0.706400 ₽ |
| 800 шт. | 0.681800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 180W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 61nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.628nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.624nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 100A 3V 180W 3.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS