JSMSEMI SIR626ADP-T1-RE3-JSM
Артикул: C55107001
Part Number: SIR626ADP-T1-RE3-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.571900 ₽
В наличии: 1000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.037900 ₽ |
| 10 шт. | 0.847300 ₽ |
| 30 шт. | 0.752800 ₽ |
| 100 шт. | 0.658300 ₽ |
| 500 шт. | 0.601300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.571900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 165A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 198W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 85nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.99nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 60pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.75nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 165A 3V 198W 1.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS