JSMSEMI SIR638ADP-T1-RE3-JSM
Артикул: C55106999
Part Number: SIR638ADP-T1-RE3-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.529600 ₽
В наличии: 989 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.961300 ₽ |
| 10 шт. | 0.785400 ₽ |
| 30 шт. | 0.697400 ₽ |
| 100 шт. | 0.609400 ₽ |
| 500 шт. | 0.557300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.529600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 200A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 125nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 65pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.15nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40V 200A 1.7V 200W 0.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS