JSMSEMI FDB86366-F085-JSM
Артикул: C55106990
Part Number: FDB86366-F085-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 1.270900 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.061100 ₽ |
| 10 шт. | 1.766200 ₽ |
| 30 шт. | 1.582100 ₽ |
| 100 шт. | 1.393100 ₽ |
| 500 шт. | 1.308400 ₽ |
| 800 шт. | 1.270900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 110A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 280W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 110nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.315nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 59pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.656nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 110A 3V 280W 2.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS