JSMSEMI SIR182DP-T1-RE3-JSM
Артикул: C55106982
Part Number: SIR182DP-T1-RE3-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.401800 ₽
В наличии: 998 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.745000 ₽ |
| 10 шт. | 0.605200 ₽ |
| 30 шт. | 0.535200 ₽ |
| 100 шт. | 0.465300 ₽ |
| 500 шт. | 0.423000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.401800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 94nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.183nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 914pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 120A 1.7V 120W 2.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS