HANGYU MICROELECTRONICS HY4N65
Артикул: C55080538
Part Number: HY4N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.138400 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.238100 ₽ |
| 50 шт. | 0.195600 ₽ |
| 150 шт. | 0.177300 ₽ |
| 500 шт. | 0.154600 ₽ |
| 2000 шт. | 0.144500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.138400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.7Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 670pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 70pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 4A 4V 2.7Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)