HANGYU MICROELECTRONICS 16N65
Артикул: C55079899
Part Number: 16N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.353600 ₽
В наличии: 34 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.608200 ₽ |
| 10 шт. | 0.499500 ₽ |
| 50 шт. | 0.452500 ₽ |
| 100 шт. | 0.395800 ₽ |
| 500 шт. | 0.369800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.353600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 500mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 59nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 260pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 16A 4V 75W 500mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)