HANGYU MICROELECTRONICS 13N50
Артикул: C55079897
Part Number: 13N50
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.249100 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.428500 ₽ |
| 50 шт. | 0.352000 ₽ |
| 150 шт. | 0.319200 ₽ |
| 500 шт. | 0.278300 ₽ |
| 2000 шт. | 0.260100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.249100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 480mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.92nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 36pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 235pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
500V 13A 4V 35W 480mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)