HANGYU MICROELECTRONICS 12N65
Артикул: C55079896
Part Number: 12N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.256000 ₽
В наличии: 510 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.440200 ₽ |
| 50 шт. | 0.361600 ₽ |
| 150 шт. | 0.327900 ₽ |
| 500 шт. | 0.285900 ₽ |
| 2000 шт. | 0.267200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.256000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 51W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.19nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 12A 4V 51W 600mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)