HANGYU MICROELECTRONICS 10N65
Артикул: C55079894
Part Number: 10N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.218000 ₽
В наличии: 35 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.374900 ₽ |
| 50 шт. | 0.308000 ₽ |
| 150 шт. | 0.279300 ₽ |
| 500 шт. | 0.243500 ₽ |
| 2000 шт. | 0.227600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.218000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 800mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 44nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.57nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 166pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 10A 3V 50W 800mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)