HANGYU MICROELECTRONICS 8N65
Артикул: C55079892
Part Number: 8N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.200700 ₽
В наличии: 505 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.345300 ₽ |
| 50 шт. | 0.283600 ₽ |
| 150 шт. | 0.257200 ₽ |
| 500 шт. | 0.224200 ₽ |
| 2000 шт. | 0.209500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.200700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 29nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.07nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 114pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 8A 4V 1.2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)