HANGYU MICROELECTRONICS 15N10
Артикул: C55034735
Part Number: 15N10
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.052000 ₽
В наличии: 1980 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.054800 ₽ |
| 50 шт. | 0.053600 ₽ |
| 150 шт. | 0.052800 ₽ |
| 500 шт. | 0.052000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 98mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 25.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 780pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 36pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 47pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 15A 2.2V 42W 98mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)