HANGYU MICROELECTRONICS 50N06
Артикул: C55034733
Part Number: 50N06
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.057100 ₽
В наличии: 2090 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.060200 ₽ |
| 50 шт. | 0.058900 ₽ |
| 150 шт. | 0.058000 ₽ |
| 500 шт. | 0.057100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 51W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 56nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.315nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 144pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 181pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 50A 3V 51W 14mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)