HANGYU MICROELECTRONICS 80N03
Артикул: C55034731
Part Number: 80N03
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.047700 ₽
В наличии: 2505 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.050300 ₽ |
| 50 шт. | 0.049200 ₽ |
| 150 шт. | 0.048500 ₽ |
| 500 шт. | 0.047700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 44nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.16nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 264pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 272pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 80A 1.4V 83W 4.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)