HANGYU MICROELECTRONICS 50N03
Артикул: C55034730
Part Number: 50N03
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.040100 ₽
В наличии: 2440 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.042400 ₽ |
| 50 шт. | 0.041400 ₽ |
| 150 шт. | 0.040800 ₽ |
| 500 шт. | 0.040100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 17W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.55V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 43nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 940pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 200pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 235pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 50A 1.55V 17W 7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)