HANGYU MICROELECTRONICS 30N02
Артикул: C55034729
Part Number: 30N02
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.038000 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.040100 ₽ |
| 100 шт. | 0.039200 ₽ |
| 300 шт. | 0.038600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.038000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 170pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 250pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±10V |
Описание
20V 30A 700mV 7W 6.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)