HANGYU MICROELECTRONICS 20N03
Артикул: C55034728
Part Number: 20N03
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.035400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.037300 ₽ |
| 100 шт. | 0.036500 ₽ |
| 300 шт. | 0.035900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.035400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.4nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 530pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 60pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 200pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 20A 1.6V 60W 15.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)