HANGYU MICROELECTRONICS 2N65
Артикул: C55034721
Part Number: 2N65
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.053900 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.056900 ₽ |
| 50 шт. | 0.055600 ₽ |
| 150 шт. | 0.054800 ₽ |
| 500 шт. | 0.053900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 370pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 50pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 2A 4V 28W 6Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)