NPN дарлингтона транзисторы

NPN дарлингтона транзисторы

Артикул: C549765 Part Number: BST51,115 Производитель: Nexperia
от 0.144300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.263000 ₽
50 шт. 0.212400 ₽
150 шт. 0.190700 ₽
1000 шт. 0.163600 ₽
2000 шт. 0.151500 ₽
5000 шт. 0.144300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.3W
Ток коллектора (Ic) 1A
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.3V
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.9V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz

Описание

60V 2000 1A NPN SOT-89 одиночные биполярные транзисторы RoHS