HANGYU MICROELECTRONICS 2N7002K-0.3A
Артикул: C54930238
Part Number: 2N7002K-0.3A
Производитель: HANGYU MICROELECTRONICS
от 0.007800 ₽
В наличии: 2500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.013700 ₽ |
| 500 шт. | 0.011200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.009800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.008900 ₽ |
| 24000 шт. | 0.008200 ₽ |
| 60000 шт. | 0.007800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 300mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2Ω@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 300mA 1.6V 225mW 2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)