JTD JTDD882M

JTD JTDD882M

Артикул: C54929623 Part Number: JTDD882M Производитель: JTD
от 0.051700 ₽ В наличии: 2400 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.088000 ₽
100 шт. 0.072400 ₽
300 шт. 0.064600 ₽
2500 шт. 0.058800 ₽
5000 шт. 0.054100 ₽
10000 шт. 0.051700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 3A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.25W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 60~400
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 500mV
Ток отсечки коллектора 1uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Конфигурация -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 80MHz

Описание

30V 60~400 3A 1 NPN NPN TO-252 одиночные биполярные транзисторы