PJSEMI PJMD60H12TNSA
Артикул: C54829854
Part Number: PJMD60H12TNSA
Производитель: PJSEMI
от 0.045400 ₽
В наличии: 2760 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.076200 ₽ |
| 100 шт. | 0.063000 ₽ |
| 300 шт. | 0.056300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.051400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.047400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.045400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | - |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160Ω |
| Заряд затвора (Qg) | 1.14nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 24pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
500mW 600V 30mA 2.5V 160Ω 1 N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)