KTP IKG50N1200DH(KTP)

KTP IKG50N1200DH(KTP)

Артикул: C54814929 Part Number: IKG50N1200DH(KTP) Производитель: KTP
от 1.269500 ₽ В наличии: 21 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.162300 ₽
10 шт. 1.829500 ₽
25 шт. 1.621800 ₽
100 шт. 1.407500 ₽
400 шт. 1.311700 ₽
800 шт. 1.269500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 492W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) 20uA;5mA
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.8V;2.2V
Заряд затвора (Qg) 260nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.6V
Входная ёмкость (Cies) 4.5nF
Выходная ёмкость (Coes) 230pF
Проходная ёмкость (Cres) 56pF
Время задержки включения Td(on) 30ns;35ns
Время задержки выключения Td(off) 235ns;270ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.2mJ;2.9mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.8mJ;2.8mJ
Время обратного восстановления (trr) 252ns;320ns

Описание

492W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-264 одиночные IGBT-транзисторы