KTP IKW50N1200DH(KTP)
Артикул: C54814928
Part Number: IKW50N1200DH(KTP)
Производитель: KTP
от 1.605500 ₽
В наличии: 28 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.733700 ₽ |
| 10 шт. | 2.313300 ₽ |
| 30 шт. | 2.050300 ₽ |
| 90 шт. | 1.780800 ₽ |
| 360 шт. | 1.659100 ₽ |
| 1080 шт. | 1.605500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 520W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 20uA;5mA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V;2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 280nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 220pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 60pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns;35ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 210ns;265ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.9mJ;4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2mJ;4.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 180ns;230ns |
Описание
520W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы