KTP IKG75N1200DH(KTP)
Артикул: C54814927
Part Number: IKG75N1200DH(KTP)
Производитель: KTP
от 1.715900 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.920400 ₽ |
| 10 шт. | 2.471400 ₽ |
| 25 шт. | 2.189500 ₽ |
| 100 шт. | 1.902700 ₽ |
| 400 шт. | 1.771600 ₽ |
| 800 шт. | 1.715900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 535W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 20uA;5mA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 505nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 235pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 52pF |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 452ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 120ns |
Описание
535W 75A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-264 одиночные IGBT-транзисторы