Minos MLG50T65FDK
Артикул: C54770475
Part Number: MLG50T65FDK
Производитель: Minos
от 1.001700 ₽
В наличии: 500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.001800 ₽ |
| 10 шт. | 1.757500 ₽ |
| 30 шт. | 1.602700 ₽ |
| 90 шт. | 1.104300 ₽ |
| 510 шт. | 1.032700 ₽ |
| 1200 шт. | 1.001700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 35uA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 110nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.165nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 26pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 88ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 800uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 40ns |
Описание
300W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы