BORN BMF65R190F
Артикул: C54741141
Part Number: BMF65R190F
Производитель: BORN
от 0.650700 ₽
В наличии: 500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.133800 ₽ |
| 10 шт. | 0.945100 ₽ |
| 50 шт. | 0.842600 ₽ |
| 100 шт. | 0.727100 ₽ |
| 500 шт. | 0.675100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.650700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33.3W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.39nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 20A 4V 33.3W 160mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)