Транзистор предварительное смещение NPN 50V DFN1010-6
Артикул: C547315
Part Number: PQMH10Z
Производитель: Nexperia
от 0.091500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.137600 ₽ |
| 50 шт. | 0.117700 ₽ |
| 150 шт. | 0.107800 ₽ |
| 500 шт. | 0.100400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.094400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.091500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 750mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 350mW поверхностный монтаж DFN1010-6