Nexperia PQMD3Z
Артикул: C547314
Part Number: PQMD3Z
Производитель: Nexperia
от 0.016300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.033000 ₽ |
| 10 шт. | 0.025800 ₽ |
| 30 шт. | 0.021900 ₽ |
| 100 шт. | 0.019500 ₽ |
| 500 шт. | 0.017400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.016300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
30 350mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT1216 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS