Nexperia PQMD2Z
Артикул: C547313
Part Number: PQMD2Z
Производитель: Nexperia
от 0.016300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.033000 ₽ |
| 10 шт. | 0.025800 ₽ |
| 30 шт. | 0.021900 ₽ |
| 100 шт. | 0.019500 ₽ |
| 500 шт. | 0.017400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.016300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 60 100mA 350mW NPN+PNP 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы DFN1010-6 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS