Nexperia PQMD16Z
Артикул: C547312
Part Number: PQMD16Z
Производитель: Nexperia
от 0.011600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.023400 ₽ |
| 10 шт. | 0.018400 ₽ |
| 30 шт. | 0.015600 ₽ |
| 100 шт. | 0.013900 ₽ |
| 500 шт. | 0.012400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.011600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN+PNP |
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 2.13 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 100 100mA 350mW NPN+PNP 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения DFN1010-6 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS